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Hole states in wide band-gap diluted magnetic semiconductors and oxides

机译:宽带隙稀磁半导体和氧化物中的空穴态

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摘要

Puzzling disagreement between photoemission and optical findings inmagnetically doped GaN and ZnO is explained within a generalized alloy theory.The obtained results show that the strong coupling between valence-band holesand localized spins gives rise to a mid-gap Zhang-Rice-like state, to a signreversal of the apparent p-d exchange integral, and to an increase of theband-gap with the magnetic ion concentration.
机译:在广义合金理论中解释了磁性掺杂的GaN和ZnO的光发射和光学发现之间令人费解的分歧。获得的结果表明,价带空穴与局部自旋之间的强耦合产生了中间间隙的张米态,表观钯交换积分的正反转,并且随着磁离子浓度带隙的增加。

著录项

  • 作者

    Dietl, Tomasz;

  • 作者单位
  • 年度 2007
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

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